Abstract
由於矽化物在電子元件上的應用日趨重要，因此矽化物的研究成為值得注目的課題，矽化物常應用於離子佈植矽上，而二氟化化硼的佈植非常實用。因此，鎳在二氣化硼佈植後矽晶上的反應成為吸引人的研究重點。在一九八六年，多矽鎳化物的磊晶被發現可在兩日多度的低溫下成長於氟化硼離子佈植矽上，這違反了以往公認的鎳矽化物成長次序：多金矽化物、單矽矽化物、多矽矽化物分別成長於約２５０，３５０，７５０℃。這個驚人的結果引發了我研究的興趣。希望在鎳與離子佈植矽的界面反應做更深入的研究。在以氟化硼離子離子混合的研究中，我們發現對於低溫磊晶的成長並沒有顯著的效果，而鎳在離子佈植後後矽晶的界面反應，卻能在很大的溫度範圍產生多矽矽化物磊晶，我們改變了矽晶的指向或處理方式，也改變了蒸鍍方法、鎳薄膜厚度、佈植能量、佈植劑量等變數。我們發現，只要選擇適當的鎳薄膜厚度，鎳可與氟化硼離子佈植後的（００１）矽晶在２１０℃?８００℃產生多矽矽化物磊晶，並且可以穩定的存在。離子佈植後產生的缺陷，在退火後並沒有很顯著的減少，在８００℃時，氟的氣泡顯著地出現在矽化物中，而並沒有在矽晶基底發現明顯的氣泡。