Abstract
以鎳酸鑭與鉭雙鎗射頻磁控濺鍍的方法，可製備符合在i-line與DUV微影光學要求的衰減移相式光罩薄膜(波長分別為365nm與248nm之lithography)，其適當的微透光特性和180o移相產生的破壞性干涉，將可消除深次微米曝光時的圖案邊緣繞射，提高成像的解析度。而且在可見光範圍擁有較高的吸收性，對於光罩的對準與缺陷的檢視將十分有利。由於薄膜為氧化物，所以鍍膜O2流量的調控相當具有彈性，曝露在大氣下有穩定的光學性質，且為均勻的單層結構。經由XPS的鑑定，薄膜中的Ta與La為完全氧化的狀態。對照ICP-MS，XPS與RBS的成分分析結果，得知適於APSM光學性質的鍍膜La：Ni：Ta＝1：1：0.4，AFM的探測結果顯示鍍膜表面具有相當佳的平整度。SIMS分析則顯示縱深成分分布，並無太大的變化。同時對VASE橢圓儀測得的Psi和Delta，與光譜儀測得的穿透率和反射率fitting，可有效解析薄膜的光學性質，可避免一些錯誤model的假設及fitting多重解的問題。 fitting的過程中，我們發現所濺鍍的純LNO及Ta2O5含量較少的LNO薄膜，下層具有較上層緻密的結構，而在其他包括符合APSM光學要求的鍍膜，均具有均勻的單層結構，可能與濺鍍粒子動能轉移的緻密化過程有關。