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鎳鈷矽化物之研究
Thesis

鎳鈷矽化物之研究

張明斌
Masters, National Tsing Hua University
1983

Abstract

鎳鈷矽矽化物磊晶佈值矽晶片材料科學物理 MATERIALS-SCIENCEPHYSICS
本論文對鎳與鈷矽化物的纍晶成長以及鎳矽化物對砷離子佈植所造成的輻射損傷作一研究,此研究之工具主要為電子顯微鏡及四點電阻測量。生長於Oll 矽晶上的二矽化鎳,其界面極不平,纍晶與雙晶結構均存在其中,其界面差排為邊線型。七十及一百七十千伏之砷離子佈植量達十的十五次方時,二矽化鎳纍晶薄膜將損傷近於非晶型態,八百度攝氏退火可使損傷之二矽化鎳薄膜復原為纍晶,復原的薄膜中沒有微雙晶及多晶結構,復原之薄膜中存在局部之高缺陷區,此缺陷為矽晶中之缺陷為雙晶結構。

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