Abstract
本研究利用雙電子槍蒸鍍系統製備Fe及Fe60Al40、Fe35Al65、 Fe28Al72、Fe25Al75等合金薄膜於n-GaAs晶片上，經過500℃~900℃ 20秒之快速退火處理後，探討蕭基接面之結構及電性。以X 光繞射分析、穿透式電子顯微鏡、歐傑電子能譜成份縱深分佈曲線分析、光學顯微鏡等，分析界面微結構及表面形態；量測薄膜電阻係數；並製作蕭基二極體以量測蕭基能障高及理想因子。結構分析顯示：Al含量較高的薄膜，高溫退火後界面擴散的情形較明顯，並於界面處形成AlAs；除了Fe/GaAs在900℃退火後表面產生坑洞外，其餘四種合金薄膜經高溫退火後，仍可維持平整的表面；電流-電壓特性曲線分析顯示：Al含量較高的薄膜，電性的熱穩定性較佳，尤以Fe25Al75/GaAs經900℃ 20秒退火後，理想因子還維持1.14，蕭基能障高為0.86V為最佳。