Abstract
液晶及液晶高分子在光電上的應用日增, 目前已廣泛使用於顯示幕上,在光資訊儲存的應用, 也有不錯的成果發表。國內在合成液晶和液晶高分子已有不錯的成績。本論文著重於鐵電性液晶和液晶高分子物理性質量測技術之建立。我們首先建立了液晶元件的製程技術，提供測量物理參數所需的樣品，接著組合了一套光電測量系統，以便確定新材料的物性，而且設計了新的電路來測量自發極化量Ps. 針對化工系提供的鐵電性液晶及側鏈液晶高分子做一系列的量測。其中 4'-(7-octenyloxy)-biphenyl-4-yl (3S,2S)-3-methyl-2-chloropentanoate (C8I) 單體之自發極化量可達 245 nC/cm^2. 反應時間快達 8 μsec (在電場強度為10 V/μm 下)。我們並發現 C8I 單體在 SmA 相及結晶相間有三個液晶相，其中 SmC相是夾在兩個反鐵電液晶相之間。C8I 單體為一新的反鐵電液晶，其物理特性有待更進一步之探討。而側鏈液晶高分子係由 CnI 單體和聚甲基矽氧烷接枝所製得，其中 PC8I 及 PC11I 皆由 Ps 之測量確定具有鐵電液晶相，其中 PC8I 之 Ps 可達 127 nC/cm^2, 反應時間可達 8 msec(在電場強度為10V / μm 下)。