Abstract
本次的研究是用微波電漿化學氣相沈積法在6H-SiC基材上成長鑽石膜，在基材材料的選擇上是以晶格常數和鑽石較匹配和表面自由能和鑽石較接近的觀點去選取。且藉由改變在偏壓階段的甲烷氣體和氫氣的比例，並利用場發射式電子顯微鏡以及電子能量損失能譜儀去分析鑽石在6H-SiC基材上的界面行為，並且找出鑽石成長的較佳條件。由研究結果顯示當甲烷濃度高於5%時，則會在基材上方先形成β-SiC以及非晶質類鑽界面層，而濃度低於4.5%時，則鑽石可以直接接在6H-SiC上，鑽石與基材的較佳方位關係為鑽石的（ ）面跟基材的（0006）面相接，而鑽石的[110]方向會跟基材的[ ]方向平行，另外在濃度4%的條件下觀察出有鑽石的[ ]方向與基材的[0001]方向平行的織構關係，而本研究的設備下鑽石膜的較佳成長條件為甲烷濃度4.5%的條件。