Abstract
以熱燈絲化學氣相沈積法（HFCVD），配合負偏壓技術，我們有效地在Si(100)上獲得具(100)優選指向之鑽石膜。輝光放電電漿本身的侷限作用，使薄膜表面型態的分布並不均勻，由(111)優選指向到(100)優選指向都有，所以HFCVD雖可成長大面積的多晶鑽石膜，但並不適合用於大面積的優選指向鑽石膜成長。以傾斜的視角，我們觀察到鑽石晶粒以3D島狀成長，構成(100)優選指向的模式。觀察偏壓輔助成長(BTG)步驟下的電壓電流，其變化曲線可以當作(100)優選指向鑽石晶粒生成與否的重要指標。我們以此更進一步探討HFCVD中(100)優選指向生成的機制，以及異質磊晶的可能性。 利用離子佈植技術所測試的選區成長，發現HFCVD也可以造成選區孕核成長，但所得的效果較差，可能的主因是偏壓的使用，使得未受離子佈植的區域也可以成長鑽石，如此降低了選區成長的選擇性。具 (100) 優選指向的表面型態則沒有明顯差別。