Abstract
CsI是一種閃爍體，它可以將輻射線轉換成可見光，如再配合後面之電子化儀器，即可成為影相偵檢器。影相偵檢器除了要考慮其發光強度外還要考慮 其空間解析度及薄膜均勻性。本實驗則是以真空蒸鍍製造CsI(Na)薄膜，希望其 具有良好的發光強度及薄膜性，可以跟CsI(Na)單晶匹配。實驗中可知，當真空 蒸鍍過程中，所有條件都可掌控的情況下，薄膜會形成(100)晶面的柱狀結構， 搖擺曲線比單經仍大甚多，但薄膜發光強度可以跟單經相互匹配，當吸收劑量為每秒1雷的時，可發出1燭光的可見光，且光電二極體的靈敏度為每秒0.03 雷得，當吸收超過每秒0.03雷得時，會增加雜訊，如對可見光而言，則可產生 1.7x10-4燭光的可見光。CsI(Na)薄膜，當其具有柱狀結構時，不僅可以增加光強 度，還可以因為不會使光子散開，而失去契合性，因此空間解析度可以大大改 善，相對的，單晶因為沒有柱狀結構，所以光子會成等向性散開，使的失去空間解析度。另外因為此薄膜主要是希望將其運用在影相應用上，因此薄膜的均 勻性也很重要，薄膜厚度要均勻，且不可出現龜裂，又要易出現柱狀結構，但 因基板與CsI的膨漲係數的不一樣，因此要使薄膜不產生龜裂，基板的選擇要 謹慎考慮，使膨脹係數與CsI相近，以降低薄膜龜裂的情況。或另外可以考慮 用光纖玻璃或經蝕刻產生柱狀結構的玻璃當基板增加形成柱狀結構的機率。