Abstract
CsI是一種閃爍體，它可以將輻射線轉換成可見光，如再配合後面之電子 化儀器，即可成為影相偵檢器。影相偵檢器除了要考慮其發光強度外還要 考慮 其空間解析度及薄膜均勻性。本實驗則是以真空蒸鍍製造 CsI(Na)薄膜，希望其 具有良好的發光強度及薄膜性，可以跟 CsI(Na)單晶匹配。實驗中可知，當真空 蒸鍍過程中，所有條件 都可掌控的情況下，薄膜會形成(100)晶面的柱狀結構， 搖擺曲 線比單經仍大甚多，但薄膜發光強度可以跟單經相互匹配，當吸收劑量 為每秒1雷的時，可發出1燭光的可見光，且光電二極體的靈敏度為每 秒0.03 雷得，當吸收超過每秒0.03雷得時，會增加雜訊，如 對可見光而言，則可產生 1.7x10-4燭光的可見光。CsI(Na)薄膜 ，當其具有柱狀結構時，不僅可以增加光強 度，還可以因為不會使 光子散開，而失去契合性，因此空間解析度可以大大改 善，相 對的，單晶因為沒有柱狀結構，所以光子會成等向性散開，使的失去空 間解析度。另外因為此薄膜主要是希望將其運用在影相應用上，因此薄膜 的均 勻性也很重要，薄膜厚度要均勻，且不可出現龜裂，又要 易出現柱狀結構，但 因基板與CsI的膨漲係數的不一樣，因此要 使薄膜不產生龜裂，基板的選擇要 謹慎考慮，使膨脹係數與 CsI相近，以降低薄膜龜裂的情況。或另外可以考慮 用光纖玻 璃或經蝕刻產生柱狀結構的玻璃當基板增加形成柱狀結構的機率。