Abstract
本實驗利用SOI晶圓製作出含有奈米通道和閘極結構的元件，使用的半導體製程技術包含光學曝光微影、乾蝕刻、濕蝕刻、電子束微影和熱氧化等。其目的在於研究閘極偏壓是否會造成奈米通道內離子分布的改變。 基於電雙層的理論，我們知道氧化物在水溶液中表面會帶有一層負電荷，而這層負電荷會影響水溶液中的離子分佈，使得奈米通道以陽離子的傳輸為主，因此實驗中試圖施加不同的閘極電壓以改變表面電荷的電位。
- Title
- 閘極偏壓對奈米流道內離子分布之影響
- Translated title
- 閘極偏壓對奈米流道內離子分布之影響
- Creators
- 柯思羽
- Contributors
- 周亞謙 (Advisor)
- Awarding Institution
- 國立清華大學, 物理系; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, 國立清華大學, 物理系
- Language
- Traditional Chinese
- Resource Type
- Thesis
- Date published
- 2009