Abstract
藉由在1000 ℃和1 atm 條件下，可利用金屬薄膜、矽基板以及金奈米顆粒，在1000 ℃和1 atm 條件下合成出矽奈米線。可調控之矽奈米線直徑或是成長方向可經由不同大小尺寸的金奈米顆粒做為催化劑和使用不同晶向的矽基板。剛產出的奈米材料的晶體結構、微結構、化學成分、光學的性質，可分別透過X 光繞射儀、穿透式電子顯微鏡、掃描穿透式電子顯微鏡、臨場穿透式電子顯微鏡去分析。另外也會將可控制成長方向和半徑的矽奈米線當成模板，利用四氯化鈦當成鈦的來源合成出矽與矽化鈦異質接面的奈米線。實驗結果發現，利用臨場穿透式電子顯微鏡觀測矽與矽化鈦異質接面的奈米線，在提供外加鈦來源的情形下，鈦與矽與矽化鈦異質接面的奈米線反應的結果與薄膜反應不同。此種二階段合成的矽與矽化鈦異質接面的奈米線，提供了一個製造功能性奈米元件，極具潛力與發展的合成方法。