Abstract
本論文主要探討以MEH-PPV為發光層、PEDOT：PSS為電洞注入層，並以熱蒸鍍機製備絕緣薄夾層及金屬陰極的雙層高分子發光二極體的光電特性。量測ITO透明導電玻璃、ITO/PEDOT：PSS、ITO/MEH-PPV及ITO/PEDOT：PSS/MEH-PPV的表面粗糙度及可見光穿透率。由電流-電壓-亮度曲線分析元件的光電效率，於定電流模式下對元件作壽命測試。 研究結果顯示，旋轉塗佈PEDOT：PSS電洞注入層於ITO導電玻璃上可有效減少表面粗糙度，對MEH-PPV的發光波長620 nm的穿透率影響不大。不同陰極金屬會影響元件發光強度及電流密度。對純金屬陰極而言，Ag電極的元件漏電流較Al電極者嚴重，元件光電效率不及功函數相似的Al電極。在Al、Ag電極與MEH-PPV間夾入薄層的Ca或Al：Li，可以降低漏電流，增進元件的光電效率。藉由夾入一適當厚度的薄絕緣層：Li2O、LiF、CsF、MgF2及CaF2等並以Al為陰極材料也可有效降低電子注入能障而提高元件性能。但當此絕緣薄夾層厚度太大，將導致光電效率及點亮電壓皆不及純Al電極元件，絕緣薄夾層的元件在5V的光電效率以LiF最高，依次為CsF、Li2O、MgF2、CaF2。元件退化的順序以純鋁電極之PLED為最快，依序為CsF(1.2 nm)/Al、Ca(10 nm)/Ag、Ca(10 nm)/Al、Al：Li(10 nm)/Al電極之PLED，而以純Ag電極之PLED壽命最久。