Abstract
自從日本NEC實驗室的飯島澄男(Iijima)博士於1991發現奈米碳管後，因其具有大的輪廓比(aspect ratio)、尖端曲率半徑小、高結構強度、高化學穩定性等特性，且具有低啟始電場(turn-on field)與高場發射電流密度，使其被視為最具潛力作為場發射顯示器中的場發射材料，因而使得大量研究機構與人員積極投入其研究。本實驗室使用微波電漿化學氣相沉積法(Microwave Plasma enhance Chemical Vapor Deposition, MPECVD)成長雜亂方向的多層奈米碳管薄膜，並藉由電性量測系統量測其場發射之特性，且使用半導體場發射理論分析其量測結果（一般大多使用Fowler-Nordheim方程式）。將分析的結果與垂直於基板方向的陣列狀多層奈米碳管薄膜做比較，發現到雜亂方向的多層奈米碳管薄膜反而有較低的啟始電場與較高的場發射電流密度，並針對此現象進行一連串的解釋。