Abstract
在這篇論文中，我們對帶電荷的雜質在金屬中的屏蔽效應做一番基本研究。由這項研究我們知道線性的理論甚至對點電荷雜質卻是不適用的；因此我們必須考慮非線性的屏蔽效應。在計算中，我們用凝膠模型(the Jellium model) 描述金屬，並設整個系統具有圓球對稱。我們使用Kohn和Sham局部電子密度近似(Local density approxim-ation)的理論來計算一個點電荷在不同的金屬中屏蔽電荷的分佈。我們亦用了幾種常見線性理論來計算此一問題。接著我們比較由線性理論和非線性理論（局部電子密度近似）所計算出的屏蔽電荷分佈的異同。我們發現在Z=1 的情況下，兩種理論在雜質處的屏蔽電荷都是有限的且離雜質較還處都呈現有Friedel 震盪。然而非線性的結果在原點處的屏蔽電荷比線性的結果要多，並且兩者的Friedel 震盪間存有相差(Phasedifference) 。在Z=2 時，線性理論所得到的屏蔽電荷的分佈為Z=1 時的兩倍；但在非線性理論，由於有束縛態(the bound states)的存在而較複雜，其屏蔽電荷的分佈則顯著的不同於線性理論的結果。