Abstract
本論文的主要目的，乃在提供一有效解決半導體中雜質能態表面效應的理論。因為在半導體的實際應用中，其體積的大小有一定的限制，並非無限。因此，雜質往往離表面不遠，所產生的表面效應對能態有很大的影響，而必須加以考慮。然而，若干年來始終未有一有效理論處理此一表面效應的問題。是故，本論文的提出，希望能對該表面效應給予一有效的處理方法。本文主要是以單越博士所推演出的像位能法（Image Poteutial Method）為基礎，使薛丁格方程式在橢座標中呈現可分解形式。然後再參酌S. S. Gershtein 等有關雙中心體問題的半古典理論得到量子化條件，並進一步得到能態的本徵值及波函數。這其中並引用了L. I. Ponomarer, A, Sommer Feld 、E. C. Kenible ，及L. D. Landau等所發展出的一些理論及方法。經一連串求解過程所得的結果與實際情形比較，發現十分理想。不失為一處理雜質能態表面效應的有效理論。