Abstract
自動對準閘極的金半氧場效電晶體經由兩種方法製成。其一結合擴散法和離子佈植技術，另一法則僅使用離子佈植技術而已。此電晶體因沒有閘極重疊而降低了許多雜散電容，從而消除了高頻的不穩定性。我們用氮植入Ｎ通道的電晶體以做成源極和洩極。同時討論了最佳的製造程序。有兩種溫度範圍被用來消除因離子打入所造成的輻射傷害。實驗結果顯示氮佈植區在高溫焠火後，仍呈相當大的電阻，此乃因活躍的施體原子僅占全部植入氮原子的一小部分之故。自動對準閘極電晶體的閘極，洩極間電容經發現較一般電晶體為小。但因包裝電容太大，致不能得到正確的測量值。最後，我們描述了多種將來可能的改進方法。