Abstract
本文在研究離子佈植n-通道磷化甸場效電晶體(Ion-implanted n-channel InP FET‵s)之制程。起始材料為鐵摻雜磷化甸半絕緣晶片, 矽離子佈植n-導電層已經制造出來。矽離子佈植的能量和劑量是依照雙層佈植的規劃: 包括170 KeV的通道和25 KeV 的增加表面濃度的佈植, 這個規劃是由TRIM套裝軟體模擬計算得到的。退火過程是本研究中花費時間最多的一個制程, 本文使用三種退火方法: (1)不加蓋的快速熱退火, (2)不加蓋的爐溫退火, (3) 加蓋的爐溫退火。其中不加蓋的方法(proximity cap annealing) 是使用另一片磷化銦晶片緊密靠在試片上, 使得維持磷蒸氣的過壓(overpressure)空間限制在接觸面之間的小體積。加蓋的方法是在磷化甸晶片上以PECVD長一層S i N 抑制磷蒸發。歐姆接觸(Ohmic contact)是使用金鍺鎳(Au-Ge-Ni) 合金在離子佈植n-導電層上, 這種歐姆接觸的接觸電阻和表面攙雜濃度有關, 本實驗在表面使用高濃度離子佈植層,將使接觸電阻減小。本文做出不同表面濃度的歐姆接觸。蕭特基接觸(Schottky contact)是使用金- ( n-磷化銦) 的接觸。本文也做出一個整流接面。