Abstract
先探討離子佈植法製出之各種Diodes，在良好anmaling下，其崩潰電壓與濃度間關係，其次再討論不完全annaling下之二極體，其崩潰電壓與各種缺陷間之關係，且輔以TEM、Diffeuertial Hall-Effect 之助，來作為理論佐證。
- Title
- 離子佈植法對 P++ -N+ -N 二極體崩潰電壓之研究
- Translated title
- 離子佈植法對 P++ -N+ -N 二極體崩潰電壓之研究
- Creators
- 鄢立憲 (Author)
- Contributors
- 楊銀圳 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English