Abstract
本研究利用高真空電子槍在砷離子佈植後的矽晶上蒸鍍一層鈷金屬薄膜，經氮爐或快速熱退火爐做熱處理後，以穿透式電子顯微鏡觀察並分析其表面狀況與界面反應情形。所得的主要研究結果如下: (1) 砷離子佈植處理確可改善 CoSi2 磊晶的成長與高溫穩定性。(2) CoSi2/Si 的界面差排其形態與分布狀況和 CoSi2/Si 的界面應力分布有關。(3) 蒸鍍較薄的鈷金屬薄膜，會使得 CoSi2 的磊晶成長更為容易，但是相對的，島型結構也容易出現。(4) 離子佈植處理所產生的缺陷，可以在夠高的溫度退火足夠的時間後完全消除。