Abstract
本研究主要的目的，是研究如何在高溫褪火過程中，保持磷化銦（InP ）材料的化學量度（Stoichiometry ），及如何在矽離子佈植層得到良好的載子移動率（mobility）及活化率（activity）。本研究採用面對面緊密接觸式（Face－to－Face close contact method ）來保護磷化銦，同時採用快速褪火（Rapid Thermal Annealing ）來做熱處理。加熱過的材料，經常溫霍爾效應（Hall Effect ）測量，及低溫（１７°K ）光學螢光分析（Ph－otoluminescence ，PL）。實驗結果顯示：１•在實驗條件下，並沒有發生熱變換（Thermal conversion）的現象，同時磷化銦材料表面保持良好。２•在５x１０^17㎝^-3 的濃度下，移動率可達２３３０㎝^2╱v•s，與理論值接近，補償率（compensation ratis ）約為０•３。３•活化率只有１０％，經過７００℃，５秒，或是８００℃，３秒的加熱後，電荷濃度即達飽和值，無法再提高。４•經過PL分析顯示，１•３５ev信號始終沒有出現，而１•３８ev信號強度最高，猜測可能是因磷化銦材料本身的影響，使得活化率無法提高。