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離子佈植缺陷熱退火特性之研究
Thesis

離子佈植缺陷熱退火特性之研究

蕭創明
Masters, National Tsing Hua University
1980

Abstract

離子佈植法缺陷熱退火特性電气活性度嵌入剖面完整性結晶性質物理 PHYSICS
由於離子布植法所生大量幅射損害必須用退火方式加以消除方能得到優良結晶性質,以使元件發揮作用。然而為了與元件設計及制造程序相配合,加熱處理往往受到很多限制。并且植入層的電氣活性度及嵌入剖面的完整性和退火溫度有很大的相關性。

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