Abstract
以砷離子布植及擴散形成埋層，以加氫還元四氯化矽法在埋層上堆積矽磊晶層。本文對磊晶層及其中之外擴散及自滲離效應，做有系統之觀察與分析。電量光源譜及化學蝕刻法均用來分析磊晶層之完整性。外擴散及自滲離則是開展阻測量分析，重要結果。歸納如下。
- Title
- 離子佈植高頻電晶體埋層與磊晶成長層特性之研究
- Translated title
- 離子佈植高頻電晶體埋層與磊晶成長層特性之研究
- Creators
- 李澤倫 (Author)
- Contributors
- 林敏雄 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English