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離子化銅金屬電漿之電漿特性量測分析
Thesis

離子化銅金屬電漿之電漿特性量測分析

李祥榮
Masters, National Tsing Hua University
2002

Abstract

離子化金屬電漿物理氣相沈積石英振盪計光譜游離銅濺鍍 IMPIPVDquartz crystal microbalanceoptical emission spectroscopyionizationcoppersputter
近年來隨著半導體製程技術的進步,線寬(Critical Dimension)不斷地縮小且晶片尺寸加大,監測與控制鍍膜及蝕刻等製程的均勻度與穩定度也變得愈來愈重要。其中在電漿鍍膜製程中,薄膜的品質與電漿特性便有十分密切的關係。利用離子化金屬電漿源的高游離率特性,使得金屬離子的沈積方向易於控制,因而增加沈積時的準直性,以獲致良好的階梯覆蓋性。

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