Abstract
離子束撞測技術是一門應用相當廣泛的科技，在本研究中我們製造一個以輝光放電（glow discharge）來產生電漿離子源，其離子束密度在１１３μA ╱㎝□左右：配合此離子源，設計一套可供操作離子束撞濺實驗的真空系統，其真空度可達3*10□□Torr。我們利用此套系統來從事以撞濺薄膜為主的研究，而且薄膜的產生，除了撞濺的時間有差異外，其餘的系統條件均維持一致如下：系統內部的壓力是１m Torr，撞擊靶面的正離子是具有１Kev 能量的氬離子，其電流密是１１３μA ╱㎝□。所得到的薄膜我們先以X 光螢光分析法做表面成份的定性分析，然後利用歐歇能譜（Auger Electron SPectra簡稱為AES ）來做定量分析，除此以外，我們還把鍍出來的膜做了附著力測試，測量膜的吸附強度，最後我們以鍍有不鏽鋼的鋁片來和不鏽鋼做焊接測接。經過以上的分析與測試後，我們發筧可以濺鍍出和靶的成份完全相同的膜，另外膜的附著力遠大於熱蒸鍍式所得到膜之附著力；而鋁上鍍了不鏽鋼後可以有效解決鋁和不鏽鋼之間不易焊接的問題；同時由於本系統可以有效的接濺出不同的材料，甚至高溫材料也可以大量地撞濺出來，因此無論撞濺清潔、離子蝕刻、表面分析等，都可以利用本研究所發展之離子束撞濺技術來執行，所以本研究對國內材料科技發展的貢獻是肯定的。