Abstract
Gao 及 CuInS 鍍在 NaCI （ 100 ）面上。由離子束濺鍍法所做，Substrute 加熱 是從 45 ℃? 340 ℃為 Gap ╱ NaCI （ 100 ）。室溫下鍍 Gap 在 graphite 上 有大量氧在膜內，Ga，P ． O 或 Ga ． O 在形成化合物，Gap 為單相存在。 GuP 由非晶至多晶在 240 ℃? 310 ℃之間。 由多晶至單晶為 340 ℃， 有 nuclevus pwhitrity，coalesconic，turin，band 及 local epitary 發生， 易磊晶向為？ （ 100 ），（ 110 ），（ 111 ） Cu In S 在合氧。單相。非晶至多晶在 40 ℃ 至 100 ℃之間，多品至磊在 313 ℃? 42 ℃之間， Terl Inuye 現象如同 Gap、 易磊晶向：（ 100 ）（ 110 ）（ 111 ）（ 112 ），P － Cu In S ╱ n － Gap jirmitur 由此法做出，電性良好。 #2811459 #2811459