Abstract
本文的主要目地是比較四分之一波長法（Q.W ）和最佳配對法（O.P ）研製雷射鏡的差別。所以我們以上述二種方法為依據，然後以離子束濺鍍來研製雷射鏡，製成的樣品再以光譜儀及積分球來量測其反射率和散射率，並配合MUELLER 矩陣量測角散射，同時以α－STEP量測表面粗糙度。由最後實驗上的數據與理論值做一比較，發現最佳配對法的雷射鏡有較高的反射率和較低的散射率（２５層約差兩倍），而且雷射鏡的散射並非僅決定於表面粗糙度，其內各界面均對散射有頁獻。另外我們以電腦程式比較矽晶片和玻璃這二種基板，在電場和散射值上的差異，我們發現這兩種基板的電場分佈在靠近基板處幾為零，而且兩者的反射率也近乎相同，玻璃基板稍為大些，至於散射率而言，無論是Q.W 或是O.P 法的雷射鏡，層數多時（大於１３層），玻璃基板的散射率大於矽基板，當層數小於９層時，玻璃基板的散射率小於矽基板。最後我們將每層的厚度誤差以５％為上下限，然後以亂數來產生各層的厚度，我們得知：層數多時（如２５層），無論是Q.W 法Q.P 法的散射率誤差範圍較層數少時（如１９層）為大，而不管層數多寡時，Q.W 法的散射率誤差均為負值，這表不由於厚度誤差，使得電場尖峰值偏離界面，故散射率變小。至於O.P 法的散射率誤差，在層數多時有正有負，在層數少時均為負值，這表示由於層數較少時，O.P 法的各層厚度和Q.W 法相去不遠，所以O.P 法散射誤差的表現和Q.W 法相近。