Abstract
鋯鈦酸鉛（PZT）薄膜應用中，矽基板與白金矽基板是最常見的基板選擇，這是由於製程整合度與技術成熟的考量。而為了得到最佳的薄膜特性，則需成長出（100）優選取向之鋯鈦酸鉛鐵電薄膜。一般而言，要在上述兩種基板上得到優選取向的PZT薄膜相當不容易﹔其中對於金屬有機鹽裂解法（MOD）製程而言，更是困難許多。在本實驗中，成功開發出新的緩衝層材料─Ba（Mg1/3Ta2/3）O3 （BMT）。BMT為性質優良的微波介電材料，與PZT同為鈣鈦礦結構，且晶格常數與PZT相同。本實驗以脈衝雷射剝鍍法在矽基板與白金矽基板上成長具（100）優選取向的BMT薄膜。而PZT薄膜則以金屬有機鹽裂解法鍍在BMT緩衝層上。傳統上，PZT薄膜因為晶格常數的關係，無法直接成長在矽基板上，而在白金矽基板上則易出現微裂紋的問題。然而，藉由BMT緩衝層的幫助，無論是矽基板還是白金矽基板上，皆可得到具有（100）優選取向的PZT薄膜，且緻密度與平整性都相當優量。在本論文中，將探討製程參數對於BMT緩衝層之微結構與結晶取向的關係﹔以及BMT緩衝層對於PZT薄膜微結構與特性之影響。