Abstract
本文乃研究由雷射光束可聚焦成非常小之光點﹐使得反應局限於光照射區下﹐以完成具有選擇性的局部電鍍﹐以研究在電子零件如印刷電路板或I.C. 等的製程﹐能否藉此代替繁複的光罩下來完成電鍍之操作。於雷射增強電鍍系統中﹐電鍍效率會受底材的熱導度及厚度之影響﹐其電鍍效率隨熱導度之增加而下降﹐厚度增加也會導致電鍍效率下降﹐但下降的速率遠比熱導度之影響小。在底材為銀材電鍍液為 0.15 M 硫酸銅/1M 硫酸之鍍銅系統中﹐當雷射功率為 2 W﹐可達 24 熤/sec的電鍍速率﹐當電鍍電位為 +0.01 V以下﹐則電鍍出之面積會分佈於整個陰極面。若將電鍍電位逐漸向正向提高﹐則鍍出之面積逐漸縮小﹐當電鍍電位提升至為 +0.035V 以上時﹐主導電鍍出的能量完全由所通入之雷射功率大小控制﹐當電位達+0.049 V 時﹐電鍍區之直徑已相當接近於雷射光束之直徑。我們也發現在以同樣的電鍍液﹐當電位在 +0.035 V 以上時﹐若將雷射功率增加至 2 .30 W 以上﹐被電鍍區之結果反變為蝕刻。雷射照射下之鍍銅系統﹐基本上是四項反應隨雷射功率､電極電位､底材導熱性等因素而彼此輔助或競爭。正效應: 副效應: (1).增強電鍍(3).腐蝕效應 (2).無電電鍍 (4).銅離子不完全還原四項反應﹐同類的彼此輔佐﹐異類則競爭﹐若正效應超過副效應﹐即獲得銅鍍著。若副效應超過正效應﹐則沒有沉積現象﹐甚至造成蝕刻。