Abstract
20世紀末以來，隨著奈米科技的蓬勃發展，各種奈米結構的製程也相繼被發明，如黃光微影、奈米壓印、電子束微影和雷射干涉微影……等等。其中雷射干涉微影(Laser Interference Lithography)係將兩道或多道同調雷射光互相干涉，再利用光敏感層紀錄干涉條紋，並顯影後形成奈米結構。其優點為不需光罩、不需複雜昂貴的光學設備、可一次大面積曝光……等等，在需要週期性奈米結構的領域如發光二極體(LED)、一維光柵、光子晶體，因為成本低廉，產能很高，可說是前途無可限量。 然而，雷射干涉微影因其原理的關係，曝光結果對於光形非常敏感，尤其是在大面積曝光時，光形的細微變化就可能造成曝光結果有缺陷，進而影響到後續的製程和應用。本實驗室已開發了兩吋的雷射干涉微影自動曝光系統，但在實驗中發現，系統會因受到外界干擾，影響光形及曝光結果，並且還要花費人力和時間重新調整光路。是故，本研究將找出造成曝光結果缺陷的真正原因，並設計一即時光形監測系統，來監控雷射干涉微影系統的光形，當光形因外界干擾而產生變化時，光形監測系統將發現並立即停止系統進行曝光，待系統校正後，再重新進行曝光。