Abstract
奈米碳管(carbon nanotube)獨特的結構，與其高縱橫比之特性使其應用極為廣泛，極佳的機械、熱傳導、物性化性等，使其除可應用於機械結構覆合材料、儲能材料、奈米導線外，最能保證且最可行之應用便是場發射元件。 本研究採用雷射剝鍍法 (Plused laser ablation)成長奈米碳管。分別是（1）再現Andreas Thess的實驗，即利用脈衝雷射照射混合靶（C0.98Ni0.1Co0.1）成長奈米碳管以及（2）利用脈衝雷射剝鍍純石墨靶於含催化劑的基板上成長奈米碳管。 本研究將從混合石墨靶的製作到再現Andreas Thess的實驗開始到含催化劑基板的製作最後利用純石墨靶製作出均勻的奈米碳管並經由XRD、SEM、Raman光譜、以及場發射特性的探討找出最佳的雷射成長奈米碳管之製程條件及成長機制。 最佳的製程條件所獲得的場發射特性為起始電壓E0=1.764V/mm，當電場E=5.8V/mm 時、電流密度Je=180mA/cm2。