Abstract
本實驗以脈衝雷射鍍膜(PLD)鍍製(Pr0.67Ca0.33)MnO3，PCMO作為緩衝層，而Pb(Zr0.52Ti0.48)O3，PZT鐵電薄膜以有機金屬鹽裂解法鍍在有PCMO作為緩衝層之基板上。由於PCMO與PZT有相同鈣鈦礦結構，且晶格常數匹配，使得PZT材料得以在不嚴苛的條件下，在矽基板與白金基板上順利成長品質良好之薄膜。本文將探討製程參數對PCMO緩衝層結晶性質影響，以及使用PCMO作為緩衝層對PZT鐵電薄膜結晶性質與特性影響研究。
- Title
- 雷射鍍膜法製作PCMO緩衝層與其對PZT鐵電薄膜之影響研究
- Translated title
- 雷射鍍膜法製作PCMO緩衝層與其對PZT鐵電薄膜之影響研究
- Creators
- 羅玉鄰
- Contributors
- 林樹均 (Advisor)林諭男 (Advisor)
- Awarding Institution
- 國立清華大學, 材料科學工程學系; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, 國立清華大學, 材料科學工程學系
- Language
- Traditional Chinese
- Resource Type
- Thesis
- Date published
- 2004