Abstract
利用退火處理恢復因輻射照射而退化之已包裝雙極接面電晶體之電特性，並討論退火處理對電晶體抗輻射特性之影響。利用電腦軟體(pspice)評估MOSFET之輻射效應，並比較不同定義方式所得參數(起始電壓與傳導)對模擬結果之影響。從微處理器與動態記憶體之鈷六十輻射線的抗輻射特性中，評估其在太空環境之下的抗輻射特性情形。
- Title
- 電子元件輻射效應之評估與輻射傷害之去除
- Translated title
- 電子元件輻射效應之評估與輻射傷害之去除
- Creators
- 黃靜儒 (Author)
- Contributors
- 張廖貴術 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English