Abstract
本文的目的在敘述電子引發鋁合金、不□鋼、無氧銅表面二次電子(secondary elec-tron) 的研究結果。實驗是在5.3*10 mbar 的真空度下進行的，由歐傑電子能譜分析(Auger electron Spectroscopy) 我們可清楚地分析表面元素。以能量分析器分析材料表面的二次電子能譜來了解二次電子能最分佈的情形，真正的二次電子其能量大多在30 eV 以下同時也可以看到彈性、非弱性散射之入射電子的尖峰。在二次電子的量測方面，試片上加適當正偏壓便可完全捕捉二次電子，由二次電子能譜分析及二次電子產率與偏壓之關係來決定試片上所加的偏壓值為40 V。在入射電子數量增加時二次電子的數量也線性地增加，顯示入射電子的數量並不會改變其二次電子產率。研究二次電子產北與入射電子能量之關係，低能量時二次電子產率隨入射電子能量增加而增加，到達最大二次電子產率之後，二次電子產率隨入射電子能量減少而減少。將Lye、Dekker 兩人就固定能量散失之假設所得的理論及Vaughan 的實驗公式和實驗數據作一比較，Vaughan的實驗公式與實驗數據較為吻合，Lye、Dekker的理論則略有差異，造成差異的原因可能是理論並未將彈性、非弱性散射的入射電子及其所產生的二次電子考慮進去。當電子束的入射角度增大時，二次電產率也增大，但在低入射電子能量時影響較小，高入射電子能量時影響較大，同時入射角度增大也會使得最大二次電子間率所地應的入射電子能量增大。#50008875.abs#50008875.abs