Abstract
本文描述浮閘雙複晶浮閘突激金氧半和堆閘激發金氧半電子抹除可變程式唯讀記憶體的結構和製造技術。堆閘激發金氧半電子抹除可變程式唯讀記憶體由一個儲存資料的堆閘激發金氧半電晶體和具選址功能的串聯金氧半電晶體所組成。這個堆閘激發金氧半記憶元件是控制閘堆於浮閘的N 通道電晶體。藉本身對準的技巧，在一次光罩蝕刻過程中決定浮閘和控制閘的形狀。
- Title
- 電子抹除可變程式唯讀記憶體之研製
- Translated title
- 電子抹除可變程式唯讀記憶體之研製
- Creators
- 黃州杰 (Author)
- Contributors
- 黃瑞星 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English