Abstract
電遷移現象是目前半導體產業所關注的焦點，因其關係到所有元件的可靠度。陳志銘[2002]以現今較常用的金屬來做電遷移效應的相關實驗，發現到在不同的合金中，可區分出在通電後有三種不同的介金屬相厚度變化情形：（1）反應偶兩側之厚度一邊變厚一邊變薄，（2）反應偶兩側之厚度無明顯的變化，（3）反應偶兩側之厚度明顯變厚。本研究將試圖以模擬之方法解釋各種情形發生的原因。 本研究所採用的模擬方法是利用Femlab軟體，求解在一維系統之Nernst-Planck方程式。目前所得到的結論是：（1）在無界面反應或是界面反應速率很慢時，倘若電遷移效應相同，則界面層之厚度會與未通電時界面層的厚度相同。（2）在無界面反應或是界面反應速率很慢時，倘若電遷移效應不同，受電遷移效應大者之擴散方向與電流方向相同時，其界面層厚度會比未通電時之界面層厚度厚；反之，受電遷移效應大者之擴散方向與電流方向相反時，其界面層厚度會比未通電時之界面層厚度薄。（3）在界面反應極為快速時，祇要電遷移效應不同，則不管電流的方向界面層厚度均會增加。 另外我們發現在特定的條件下電流會導致相剝離的情況；我們也模擬出各種情况下Matano 界面移動的趨勢。