Abstract
我們利用改變流經鋁線上的電流密度，然後量測低頻時的雜訊，以探討電子遷移效應對低頻雜訊的影響。我們發現，在１２５℃下，將試樣（鋁線）通以１０□A╱ｃ㎡ 的電流５０個小時之後，試樣的低頻雜訊增加很多。且當測量時的電流密度自５×１０□變到２×１０□A╱ｃ㎡ 時，低頻雜訊在對數座標的頻譜上，其斜率自－２變到－５。為了將熱對低頻雜訊的影響減低，我們也量了在低溫（７７°Ｋ）時的雜訊。發現電子遷移的起始電流密度可以很清楚的決定出來。而由改變電流極性的實驗中，我們發現低頻時的額外雜訊是跟電子與被破壞處的原子之間的交互作用有關。最後，根據電阻隨時間而變的模型，我們可據以導出一理論，能用來解釋頻譜為何會呈現出１╱f□ 的形式。並根據此一理論，證明出低頻雜訊的測量確實遠較其它測量方法靈敏。