Abstract
本實驗主要為組裝電性量測系統，並藉此量測了解材料的結晶動力學行為。針對不同研究目的，自動化控制程式的不同部分去做測試，最後再對不同結構的GeSb9+Ox記憶膜進行量測。實驗結果顯示記憶層界面效應所產生的影響會大於氧摻雜的影響；而由測得的電性－溫度關係圖所求得的導電活化能顯示，記憶層GeSb9+Ox在非晶相時為p-type半導體；此外實驗也顯示在保護層鍍製的過程並不會對記憶層產生影響。
- Title
- 電性量測系統組裝與氧摻雜鍺銻合金之電性量測分析
- Translated title
- 電性量測系統組裝與氧摻雜鍺銻合金之電性量測分析
- Creators
- 陳君豪
- Contributors
- 周麗新 (Advisor)
- Awarding Institution
- 國立清華大學, 材料科學工程學系; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, 國立清華大學, 材料科學工程學系
- Language
- Traditional Chinese
- Resource Type
- Thesis
- Date published
- 2008