Abstract
摘要 離子撞擊晶圓的能量分佈，角度分佈、通率隨位置的變化等因素都直接影響到蝕刻結果，為暸解這些變化情形對蝕刻結果的影響，在本研究中，我們發展一2維3速度之粒子式氯氣電漿射頻偏壓鞘層模擬程式，模擬晶圓座上方包含電漿RF鞘層內之區域，以得到撞擊晶圓座的Cl2+、Cl+離子的能量、角度分佈，同時也發展使用Characteristic方法的feature profile模擬程式。 經由二維射頻偏壓鞘層的模擬，可以得到離子打在晶圓上的角度、能量及位置分佈，發現在晶圓座邊緣區因電場方向偏向中心造成離子的入射角度分佈較晶片中心位置大，且角度分佈在向內及向外方向的角度分佈圖相等（偏向內的較多），造成在晶圓邊緣處的蝕刻溝槽當溝槽方向和晶圓徑向垂直時，蝕刻出來的溝槽兩側蝕刻不對稱。