Abstract
本論文使用新的製程方式電感式耦合電漿(Inductively Coupled Plasma，ICP)化學濺鍍法來沉積氮化鋁(AlN)薄膜，以作為高頻的表面聲波元件(SAW)與體波共振器(FBAR)，藉由調整製程參數，如直流電子槍電壓、鍍膜時間、射頻電子槍功率、基板溫度、基板偏壓等，控制電漿來影響薄膜性質。 成功的利用電感式耦合電漿化學濺鍍法長出具有(002)優選指向的氮化鋁薄膜。在使用直流式電子槍在我們的系統中時，發現Arcing造成薄膜的abnormal 成長。我們發現不同的直流偏壓會影響AlN的沉積速率，根據電漿鞘層理論以及本系統特有的特性，提出合理的證明活化粒子為主導反應的粒子。同時認為能量影響原子的移動性，進而影響AlN的texture性質，能量越高texture性質越好，當然有一定的限制在，例如增加電子槍功率、加入中間ICP電漿源、增加基板偏壓、增加基板溫度、改變不同的基板對原子造成不同的移動性。也試著加入氫氣，發現加入氫氣會破壞AlN的c軸指向，經過NPT(nitrogen plasma treatment)處理後晶界跟表面會有明顯的改變。