Abstract
在本實驗中，我主要研究的是與物理系寇崇善教授實驗室合作，使用寇崇善教授主導架設的電感式耦合電漿（Inductively Coupled Plasma，ICP）化學濺鍍法系統，在矽晶片基材上成長氮化鋁薄膜，以作為高頻表面聲波濾波器元件之壓電材料基板。並經由調整製程參數，如壓力、氣體比例、射頻（Radio Frequency，RF）功率、溫度、電子濺鍍槍的電壓和電流及基板偏壓…等實驗參數，來成長出厚度夠厚（約5mm）、表面夠平及具優選指向（Texture）性質的氮化鋁薄膜。並參考藉由我們的合作伙伴（物理系同學）針對此系統做各種量測分析，以瞭解此ICP系統電漿源的電漿特性，包括電子溫度（Electron Temperature）、電漿密度、能量分佈與電漿電位（Plasma Potential）…等物理參數與製程參數之間的關係，來據此調出最適宜的工作環境，以提供做鍍膜實驗的參考。 在不斷地努力改進之後，我們已經成功地使用電感式耦合電漿化學濺鍍法在2吋(100)矽晶片上成長出具AlN(002)優選指向的氮化鋁薄膜，其最好的製程參數乃是：10mTorr的製程氣壓、100％的N2/Ar氣體比例、RF power=180Watt、電子濺鍍槍之電流為0.8Amp、基板負交流脈衝偏壓為450Volt，頻率為400Hz、基板溫度為341℃。其沈積速率為0.89mm/hr。