Abstract
本實驗採用兩種不同鍍膜速率交替鍍覆電洞傳輸層TPD，期望得到具有不同品質的薄膜交替組合而成的元件，並就元件電流-電壓-亮度特性以及交替鍍覆的薄膜表面形態作一探討。 元件結構依序為ITO（750 Å）/TPD（600 Å）/Alq3（550 Å）/Al（1000 Å），鍍覆有機層的條件為：電子傳輸層Alq3的鍍膜速率維持在3~4 Å/sec之間；電洞傳輸層TPD採用鍍膜速率0.5~1.5 Å/sec及6~8 Å/sec鍍覆，以及將TPD層在同為厚度600 Å條件下，分別用上述兩種鍍膜速率作交替鍍覆，分為兩次交替鍍覆、三次交替鍍覆和六次交替鍍覆。 實驗結果可推測元件表現深受TPD與Alq3接觸面的薄膜特性影響，而不論TPD是在何種鍍膜速率或交替鍍覆條件下製作的元件，其最大亮度的差異均不大，但達到相同亮度的驅動電壓差異卻可因製程條件的不同而高達4伏特。 與實驗室早期結果比較，本實驗大幅提昇了元件的亮度，元件亮度由早期1200 cd/m2提升到3800 cd/m2，而使元件有較高亮度之進步性的原因有二：一為鍍覆鋁電極的方式，可使元件不因鍍覆電極時的高溫而損壞；二為鍍膜速率的不同，以及交替鍍覆的使用。