Abstract
本論文用光譜分析法來偵測電漿系統內的狀態。光譜分析法的優點是直接接收由電漿內所放出的光作分析，並不會干擾到原本電漿內的狀態；另外亦可以用來分析電漿內的反應物種種類。 由於電漿系統內的狀態並非均勻分佈，因此在應用光譜的譜線強度來計算電漿內的一些狀態時，如激發溫度與電子密度等，所得到的結果無法得知是電漿系統內何處的狀態，所以我們必須先求得電漿系統內各譜線強度的空間分佈之後，再利用譜線強度的空間分佈來計算系統內不同位置的電漿狀態。而空間分佈的計算方法是以電漿狀態的分佈為圓柱狀對稱分佈作為基本，並且以多項式的方式來表示其狀態分佈，再觀察不同角度的光譜譜線強度，利用數值分析的方法來求得各譜線強度的空間分佈。至於在計算激發溫度時是利用Boltzmann Plot法作計算，而計算電子密度時則是以Saha Equation為基本來作計算。 本論文亦利用已濺擊原子光譜強度分佈、靶材發射角度符合餘弦n次方分佈，結合傳輸現象對薄膜成長速率均勻性作模擬。由模擬結果與實驗數據比較得n趨近於零之結果，表示在傳輸過程中由於Kundsen Number Kn＜1，有嚴重之散佈效應。 另外由光譜譜線強度的變化，亦可解釋反應性濺鍍中，電漿顏色變化與薄膜成長速率急速下降的原因為靶材被反應性氣體覆蓋之機制。