Abstract
多晶矽薄膜電晶體（poly Si TFT）由於可以應用在液晶顯示器的驅動器、影像感應器、及三度空間的積體電路上，且較目前廣泛應用之非晶矽薄膜電晶體（a-Si TFT）之電性為佳，故成為各研究群的主要研究目標。而以非晶矽膜經退火後再結晶而得之電性也就較直接成長（as- deposited）的多晶矽膜為佳。在本實驗中我們是利用由電漿化學氣相沈積爐(PECVD )在低溫（29℃度300℃）成長非晶矽膜，而後再於氮氣氣氛下之石英爐管中高溫退火，而使其再結晶。在不同退火溫度及不同退火時間的矽膜經過X-ray及TEM的檢測後我們計算出二種蒸鍍溫度之矽膜的晶粒大小及成核速率與晶粒成長速率，並由這些值中，我們計算了它們在再結晶時成核及晶粒成長的活化能及成核與晶粒成長活化能之間的差異。同時我們也利用了傅氏紅外線吸收光譜檢測在初蒸鍍時二種矽膜內氫含量及矽氫鍵結的差異，並證實此矽氫鍵結上的差異並不會影響此非晶矽膜的再結晶結果。最後我們蒸鍍了一些不同蒸鍍參數的非晶矽膜，研究其退火後晶粒大小的差異，發現在不同的矽膜厚度時所得的晶粒大小並沒有明顯的改變趨勢。我們認為這是由於異質成核所造成的結果。