Abstract
以電漿化學沈積非晶矽做為砷化鎵的保護膜在本文中研究。AES 和電性的測量用來評估冶金接面的穩定性和砷化鎵雜質植入層的活化率。非晶矽與砷化鎵的接面經過攝氏８５０度的熱處理後顯現出好的熱穩定性，砷化鎵雜質植入層以非晶矽做為保護膜，經過退火後顯現出好的活化率（大約百分之九十）。半絕緣性砷化鎵經過攝氏９００度３０分的熱處理後，轉變成電洞型導電性。造成這現象的原因是，由於接面的應力太大，使得薄膜產生針孔，鎵和砷經由針孔擴散出去而造成鎵和砷的空隙，這些空隙擴散進入基底而與矽餘雜質或外來污染的雜質作用，因此造成的結果。