Abstract
電漿反應式氮氧化矽的成長反應機構與此薄膜與砷化鎵之介面特性的研究是本論文的兩大主題。氮氣化矽的成長反應機構是改變程序的參數，比如反應氣體的比率基板的溫度、功率的大小、壓力大小等，發覺功率及壓力之大小會影響氮氧化矽膜的組成，溫度則控制其密度之大小。氮氣化矽與砷化鎵之介面是做成金氧半結構測其電壓–電容曲線及深層缺陷電容（DLTS）暫態曲線來分析，發覺其電容對電壓的關係被介面的缺陷所扭曲，而DLTS法測得的缺陷準位可以一致的來解釋其介面狀態，而且可以預測其介面之缺陷分布可能是呈“能帶”狀態，由於此能帶之缺陷分布，使得其介面之特性變差。