Abstract
本論文以簡化的漂移擴散模式，分析注入氣體為 CF4的電漿粒子在蝕刻反應器裡的分佈，並發展一熱傳分析模式，以探討矽晶片在電漿蝕刻過程中，晶片溫度與蝕刻速率的變化。熱傳模式分析的結果顯示，矽晶片在電漿蝕刻過程中產生高溫，主要的原因在於電漿中高能離子的撞擊和晶片與電極之間隙熱阻的影響。為了精確估計晶片與不□鋼電極之間隙熱傳遞係數，本研究亦設計了一套實驗以測量之，並據以發展一經驗公式。熱傳模式的分析亦顯示電漿濃度的不均勻會造成蝕刻速率更大的不均勻。
- Title
- 電漿蝕刻過程矽晶片的熱傳現象分析
- Translated title
- 電漿蝕刻過程矽晶片的熱傳現象分析
- Creators
- 林益安 (Author)
- Contributors
- 潘欽 (Advisor)
- Awarding Institution
- National Tsing Hua University; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, National Tsing Hua University
- Resource Type
- Thesis
- Language
- English