Abstract
奈米碳管因為其唯一且獨特的性質，在多元化的應用中，一直受到很多矚目。其中最重要的就是因為奈米碳管的較高的長徑比 ( high aspect ratio)使得在低電場 ( macroscopic field )下就擁有很好的場發射性質。我們利用微波電漿輔助化學氣相沉積系統(MPECVD)成長出奈米碳管。此論文利用電漿離子佈植系統( Plasma Immersion Ion Implantation, PIII )在欲成長奈米碳管之試片先做前處理、表面改質，藉著改變轟擊時間、轟擊偏壓來觀察生長奈米碳管之性質是否有所不同以及其場發射性質提升的原因。利用場發射量測系統以及原子力顯微鏡、掃描式電子顯微鏡、ESCA化學分析儀，去分析並且討論不同轟擊參數的場發性質以及其表面粗糙度、CNT的形貌和各元素的含量。