Abstract
本實驗採用Ion cut製程製作SOI，以電感偶合電漿系統（ICP）產生氫電漿，並且在矽靶材處加負偏壓，吸引氫離子植入矽靶材內。先量測電漿特性，如電漿密度、電漿均勻度和OES，並決定以偏壓25KV，RF coil下方30cm，佈植氣壓5mTorr的條件下進行氫離子佈植。以SIMS量測佈植深度和濃度，並以TRIM 91電腦模擬，比較電漿離子佈植和傳統離子佈植機佈植的差異。證實偏壓25KV電漿離子佈植，因離子能量被吸收，測得Rp值為860A，只達傳統離子佈植機，佈植H+ 5.5KeV的佈植深度，電子顯微鏡數據證實在1/2Rp內晶體嚴重變形，形成非晶矽，缺陷深度達3.5Rp。做退火（annealing）處理時，先以200℃退火1小時，使晶片黏合（wafer bonding），加熱到500℃1小時使晶片分離（splitting）形成SOI，在二次晶體成長現象，主要的缺陷為氫氣泡、疊差、界面差排和晶粒，其分佈深度可達7Rp。若再加熱到1300℃1小時可消除佈植缺陷，但仍可見微量的線形差排。