Abstract
摘 要 電漿離子佈植（Plasma Immersion Ion Implantation；PIII）的優越性，在近幾年來已逐漸的被應用在半導體製程上，本研究主要針對實驗室發展出的電漿離子佈植系統，量測電漿鞘層受到高壓的影響，並觀察鞘層運動所造成的微擾現象（即離子聲波 Ion Acoustic Wave）；同樣的，觀察覆蓋介電質後鞘層的變化，除此之外，使用雙探針（Floating Double Probe）量測電漿密度與電子溫度。
- Title
- 電漿鞘層受高壓脈衝下的動態實驗量測
- Translated title
- 電漿鞘層受高壓脈衝下的動態實驗量測
- Creators
- 曾暐舜
- Contributors
- 寇崇善 (Advisor)
- Awarding Institution
- 國立清華大學, 物理系; Masters
- Theses and Dissertations
- Masters, 國立清華大學, 物理系
- Language
- Traditional Chinese
- Resource Type
- Thesis
- Date published
- 2001