Abstract
PIII 是一個很有用的離子佈植方法, 廣泛地被使用在如半導體或是表面加工業, 比起傳統離子束的佈植方法, PIII 有著許多的優勢。 本文使用 fluid model 來描述 PIII 在加壓過程中電漿的行為, 並且使用數值的方法模擬了諸如密度、電流、以及入射粒子的量等的變化, 也探討了加了介電質後, 對整個入射能量的影響。 在電漿中通常會有不只一種的離子, 會對想要佈離的離子會造成多大的影響, 也是我們感興趣的地方。 最後則是考慮了 ambipolar diffusion, 其對於 PIII 過程中離子的補充有相當大的幫助。